以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等為代表的第三代半導體是支撐新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯網等產業自主創新發展和轉型升級的重點核心材料和電子元器件，已成為推動諸多產業創新升級的重要引擎，并被寫入國家“十四五”規劃“科技前沿領域攻關”列表。
近日，保利華信旗下長飛公司投資企業長飛先進半導體的研發生產基地落戶“武漢·中國光谷”，為進一步落實國家“十四五”規劃，加快建設第三代半導體產業、推動原創性引領性科技攻關貢獻出“芯”力量。湖北省委常委、武漢市委書記郭元強，武漢市委副書記、市長程用文與保利華信黨委書記、董事、總經理，長飛公司黨委書記、董事長馬杰一行參與見證了項目簽約儀式。
本次簽約的第三代半導體功率器件研發生產基地總投資預計超過200億元，將有效助力武漢打造國內化合物半導體產業高地。其中總投資約100億元的項目一期已于近期啟動，預計2025年完成建設。項目建成后將成為國內最大的SiC功率半導體制造基地，年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等，推動長飛先進半導體成為中國第三代半導體產業領頭羊，競逐國際市場。
作為保利集團旗下信息科技板塊的“排頭兵”，保利華信始終以國家戰略需求為導向，以科技創新為己任，不斷拓展新增長動能和發展路徑，為加快建設網絡強國、數字中國貢獻力量。成員企業長飛公司是全球最大的光纖預制棒、光纖和光纜供應商，行業首家“A+H”上市企業。近年來，長飛針對性布局戰略性多元化業務，圍繞“卡脖子”技術，持續加大投入、攻堅克難。長飛先進半導體是長飛在第三代半導體領域深度布局的重要舉措，也是長飛光纖近年來成功實施多元化戰略及戰略轉型的代表體現。長飛先進半導體專注于碳化硅（SiC）功率半導體產品研發及制造，擁有國內一流的產線設備和先進的配套系統，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產能力和技術研發能力。
未來，保利華信將進一步深化央地合作，加大核心技術攻關力度，加快推進長飛先進半導體武漢基地項目建設，為推動產業轉型升級和經濟高質量發展作出更大貢獻。